中科院空天信息创新研究院微电子学与固体电子学考博士申请考核制博士生综合考核复试笔试面试真题面试资料面试资料

一、考核形式与流程

1. 考核形式包含笔试（占比40%）、面试（占比50%）、研究计划评审（占比10%）

2. 笔试采用闭卷考试形式，时长3小时，包含专业基础题（60分）和综合应用题（40分）

3. 面试分为专业组面试（英语问答15分钟+专业提问25分钟）和综合面试（个人陈述10分钟+自由问答15分钟）

4. 研究计划评审需提交8000字研究计划书，重点考察创新性（30分）和技术路线可行性（20分）

二、笔试真题示例（2022年）

1. 专业基础题：

（1）CMOS工艺中FinFET与FinNAND晶体管的主要区别（要求从结构、电学特性、制造工艺三个维度比较）

（2）解释新型存储器MRAM的写入机制，对比其与RRAM的优缺点

（3）推导三维堆叠芯片的散热公式，分析热阻分布特征

2. 综合应用题：

（1）设计一个基于RISC-V架构的边缘计算芯片验证平台，要求包含架构设计、工艺选型、功耗优化三个模块

（2）针对5G通信基站散热问题，提出新型散热方案并计算其热导率提升幅度

三、面试核心问题（近三年高频）

1. 专业组面试：

（1）请说明量子点在第三代半导体中的应用前景及关键技术难点

（2）如何解决硅基光电器件与硅基电子器件的晶圆协同制造问题？

（3）针对太赫兹波段的微纳器件设计，请阐述设计流程和仿真验证方法

2. 综合面试：

（1）描述你过去3年参与的核心科研项目，突出个人贡献和创新点

（2）如果研究方向与导师团队存在差异，如何调整研究方案？

（3）请用英文阐述人工智能在微电子测试中的应用场景（时长3分钟）

四、典型考核标准

1. 笔试评分细则：

- 专业基础题（60分）：概念准确性（40%）、逻辑严谨性（30%）、公式推导完整性（30%）

- 综合应用题（40分）：方案可行性（50%）、创新性（30%）、工程化考虑（20%）

2. 面试评分维度：

- 研究能力（40分）：学术成果质量、创新思维、技术前瞻性

- 科研潜力（30分）：问题解决能力、跨学科整合、团队协作

- 发展潜力（20分）：学术道德、职业规划、英语沟通

五、备考策略与建议

1. 时间规划建议：

- 基础强化阶段（3个月）：重点突破半导体物理、集成电路设计、器件物理等核心课程

- 案例分析阶段（2个月）：研究近三年Nature Electronics、IEEE TSM等期刊的综述论文

- 模拟实战阶段（1个月）：每周进行全真模拟面试，使用Zoom进行视频考核演练

2. 资料获取渠道：

- 官网下载《报考指南》和《考核标准》

- 联系已录取考生获取内部资料（注意学术规范）

- 订阅IEEE Solid-State Circuits Society（SSCS）最新动态

3. 面试准备要点：

- 制作3分钟中英文个人陈述视频（含研究经历可视化呈现）

- 准备5个技术问题（含1个交叉学科问题）及应答框架

- 模拟压力面试（连续追问3轮技术细节）

注：2023年新增考核要求包括：

1. 英语面试增加专业术语即时翻译环节（5分钟）

2. 研究计划需包含伦理风险评估章节（占比提升至15%）

3. 要求提交过往科研项目专利/论文查重报告（重复率<15%）

建议考生重点关注第三代半导体、智能EDA、先进封装等研究院重点研究方向，提前与潜在导师进行学术交流。考核结果采用综合排序制，最终录取名单根据"科研成果+面试表现+研究匹配度"三维度确定。