东南大学集成电路工程考博考试自2018年启动以来，已形成以半导体物理与器件、集成电路设计与集成系统、先进制程工艺技术为核心的三维考核体系。2023年真题显示，半导体器件物理基础占比28%，集成电路系统设计占35%，先进封装与3D集成技术占22%，新兴交叉领域（如量子器件、光电子集成）占15%，体现"基础+前沿"的命题导向。

在半导体器件物理部分，2021-2023年连续五年出现非平衡载流子传输特性计算题，典型如2022年第三题要求计算MOSFET源漏极电阻比与阈值电压的关系，需结合EAG模型推导出R DS(on)/R DS(off) = (φ FB /φ FD )²的结论。器件可靠性专题中，2023年新增氢陷阱对FinFET退化的影响分析，需运用Tafel方程结合陷阱态密度分布进行失效机理阐释。

集成电路系统设计领域，2020年首次引入RISC-V指令集扩展设计题，要求设计针对边缘计算场景的定制指令模块，涉及指令格式优化、流水线停顿机制设计等。2023年新增存算一体架构设计题，给定512b×64b SRAM参数，要求设计基于AES-128算法的混合存储单元，重点考察面积-功耗-延迟的权衡能力。近三年EDA工具应用题中，Synopsys Design Compiler和Cadence Innovus的协同使用占比达67%，需掌握物理规则约束下的布局布线优化策略。

先进制程技术方向，FinFET与GAA晶体管对比分析题连续四年出现，2023年新增全环绕栅极（FET）器件迁移率与短沟道效应关系推导，要求从量子隧穿概率公式出发，结合DIBL效应解释μ n随沟道长度L的指数衰减规律。3D集成部分，2022年出现晶圆级封装（WLP）热应力计算题，给定铜 pillar 堆叠高度200μm，需运用热膨胀系数差异和泊松比计算层间剪切应力，得出σ = αΔT E[1/(1-ν)]的公式应用。

封装测试专题中，2021年首次引入晶圆级封装可靠性验证流程设计，要求制定包含热循环（-55℃~125℃）、机械应力（200g冲击）、ESD（±2000V）的三级测试方案。2023年新增晶圆键合工艺缺陷分析，需结合热压焊（Thermal Bonding）和超声焊（Ultrasonic Bonding）的机理差异，解释虚焊（Voids＞5%）和断线（Break）的成因及检测方法。

备考建议方面，建议构建"三层知识体系"：基础层重点掌握半导体物理（推荐陈星宇《半导体器件物理》）、器件设计（FangOX2《CMOS VLSI Design》）、系统架构（Weste《数字设计基础》）；技术层需精通EDA工具链（Synopsys IC Compiler+PrimeTime，Cadence Innovus+In spectre）和工艺文件解读；前沿层应关注IEEE ISSCC、VLSI Symposium等顶会论文，重点掌握3D IC、Chiplet、GAA器件等方向。模拟训练建议采用"真题三阶训练法"：2020-2022年真题用于基础诊断（占比40%），东南大学近三年实验室论文用于技术深化（占比30%），IEEE/ACM期刊论文用于创新思维培养（占比30%）。