上海微系统与信息技术研究所微电子学与固体电子学考博士申请考核制博士生综合考核复试笔试面试真题面试资料面试资料中，考核体系以“科研潜力评估”为核心，笔试与面试形成互补。笔试侧重专业基础与科研能力测试，面试则深入考察学术素养与创新能力。以下是具体真题解析与备考要点：

笔试部分

1. 专业基础题

- 半导体器件物理：要求推导MOSFET亚阈值摆幅公式，并分析沟道长度调制效应对短沟道器件性能的影响（需结合迁移率增强技术）。

- 集成电路设计：给出一个基于28nm FinFET工艺的RISC-V核设计案例，要求从功耗、面积、时序三方面评估设计方案的优化空间。

- 固态电路：针对新型二维材料（如MoS₂）场效应晶体管，论述其载流子迁移率与器件开关比的理论极限及实验突破点。

2. 科研能力题

- 阅读一篇Nature Electronics最新论文（题目涉及硅基光子晶体调制器），要求总结技术路线中的三大创新点，并指出其工程化难点。

- 撰写研究计划框架：以“基于新型存储器的边缘计算加速架构”为题，需包含技术路线图、预期成果量化指标（如能效比提升30%）、实验平台搭建方案。

面试部分

1. 学术素养考察

- 当被问及“为什么选择微电子学与固体电子学”时，需结合国家集成电路产业政策（如“十四五”规划）与个人科研经历，体现学科认知深度。

- 针对石墨烯在半导体器件中的应用，要求对比碳纳米管与硅基器件的物理特性差异，并论证后者在特定场景下的不可替代性。

2. 创新思维测试

- 面试官给出一个开放问题：“如何解决3D NAND堆叠层数与读写速度的矛盾？”需提出两种以上创新方案（如新型电荷陷阱结构设计、三维互连拓扑优化），并模拟实验验证过程。

- 团队协作模拟：4名考生组成虚拟研究小组，针对“基于Chiplet的异构集成工艺缺陷检测”任务进行分工论证，重点考察技术路线可行性。

3. 英语能力与综合素质

- 专业英语问答：阅读IEEE Trans. on VLSI Design最新论文摘要，现场翻译并阐述其技术贡献（如新型多阈值CMOS架构）。

- 价值观考核：讨论“学术不端行为的边界判定”，需结合《科研诚信案件调查处理规则》提出具体解决方案。

备考策略

1. 笔试突破：建立“器件-电路-系统”三级知识树，重点攻克ECSIM、Sentaurus等仿真工具实操，近三年报考者中85%需完成仿真报告作为笔试附加任务。

2. 面试准备：模拟真实组内汇报场景，针对“技术可行性验证”模块设计3套答辩话术（理论推导→仿真数据→实验方案），掌握“问题归因-解决方案-风险评估”三段式应答逻辑。

3. 差异化竞争：关注上海微系统所重点方向（如硅基光电子集成、存算一体芯片），在研究计划中融入“上海集成电路研发中心”最新技术路线图中的关键技术瓶颈。

（注：本文基于2022-2023年报考者回忆资料整理，具体考核细节请以研究所官网最新公告为准）