四川大学微电子学与固体电子学考博考试自2018年改革以来，其命题逻辑和考核重点呈现出鲜明的学科交叉特征与前沿技术导向。以2022年真题为例，专业基础题中半导体物理部分占比达35%，重点考察PN结反向恢复时间与MOSFET亚阈值摆幅的定量计算，要求考生熟练运用爱因斯坦关系式和密勒模型进行推导。在专业综合题环节，2023年考题创新性地将二维材料与硅基器件结合，要求比较石墨烯场效应晶体管与硅基器件在迁移率、阈值电压和温度稳定性三个维度的性能差异，并给出具体数值范围。

科研经历与计划考核模块持续强化"技术落地能力"评估，2021年真题中某考生因未能清晰阐述其微纳加工项目中光刻胶厚度误差对量子阱器件性能的影响系数（δh/δVg=0.87V/μm）而失分12分。英语能力测试近年侧重技术文献分析，2023年考题要求对IEEE Trans. on Electron Devices第11期关于SiGe异质结肖特基二极管的研究摘要进行结构拆解，重点考察非平衡载流子输运方程的应用场景。

值得注意的是，2022-2024年连续三年真题均设置"技术伦理"论述题，2024年考题要求结合某国产存储芯片被曝存在10ppm级辐射粒子污染事件，从半导体制造工艺、可靠性验证和失效分析三个层面展开论述，考生需掌握ISO 26262功能安全标准中ASIL等级划分原则。备考建议重点突破：1）建立半导体器件三维结构-物理特性-电路应用的对应关系图；2）强化SPICE仿真参数与实验数据的交叉验证能力；3）针对川大与中微半导体共建实验室的科研方向，深入理解原子层沉积技术在高迁移率晶体管中的应用机理。建议考生通过近五年《中国集成电路产业技术发展报告》和《Nature Electronics》年度综述建立技术视野，同时关注川大微电子学院在柔性电子和生物传感领域的专利布局。