复旦大学电子科学与技术、电子信息集成电路科学与工程专业考博复习需构建扎实的理论基础与前沿技术视野，以下为系统化备考建议：

核心教材精读应聚焦半导体物理、集成电路设计与信号处理三大支柱。半导体物理方面，施敏《半导体器件物理》需重点掌握PN结特性、MOSFET工作原理及载流子输运机制，配合Tilghman《半导体器件原理》中的PN结能带图推导与击穿机理分析，建议通过推导肖克利方程、计算阈值电压等典型例题深化理解。集成电路设计领域，Weste & Harris《CMOS VLSI Design》需精读CMOS电路设计流程、时序分析及DFT方法，结合Petersen《CMOS集成电路设计》中的SPICE仿真案例，重点突破逻辑单元设计、布局布线优化及功耗分析。数字电路部分，Harris & Harris《数字设计与计算机体系结构》应结合FPGA开发实践，通过Verilog实现状态机、总线仲裁等模块，同步研读《数字设计——基于Verilog HDL》中的测试平台搭建方法。

信号处理与通信理论需构建系统化知识图谱，Proakis《数字通信》应重点掌握调制解调技术、信道编码（如LDPC、Turbo码）及多天线技术，配合《现代通信原理》中的MIMO系统仿真案例。信息论部分需深入Shannon定理证明过程及香农极限计算，结合《无线通信基础》中的实际信道建模。

前沿技术拓展应关注FinFET/High-Performance Transistor（HPT）、3D IC封装、Chiplet技术及AI加速器设计等方向。推荐研读《先进半导体器件与工艺》中台积电5nm/3nm制程技术白皮书，分析EUV光刻工艺对器件性能的影响。IEEE Transactions on VLSI Systems近三年论文需重点关注存算一体架构、神经形态计算等交叉领域，通过CNKI下载复旦本团队在存算芯片、智能传感器领域的高被引论文研读。

复习策略建议采用"三阶段递进法"：第一阶段（1-2个月）完成教材精读与知识点图谱构建，每日保持3小时深度学习，使用康奈尔笔记法记录推导过程；第二阶段（1个月）开展专题突破，针对SPICE仿真、Verilog综合、电路优化等方向进行项目级实践，每周完成1个完整设计案例；第三阶段（2个月）进行交叉学科整合，研读《集成电路与系统：从器件到系统》构建系统级思维，同时关注2023年ICCAD、DVCon等国际会议热点。

特别需注意复旦考博近年强化工程实践考核，建议联系学院实验室参与芯片测试、EDA工具二次开发等项目，在简历中突出流片经验或专利成果。模拟面试需重点准备先进制程工艺挑战、后摩尔时代技术路径等命题，推荐研读《微电子技术发展报告（2023）》中张汝京院士的专题论述。