中科院半导体研究所物理电子学考博研究方向聚焦于半导体物理与器件、微电子学与集成电路、光电子学与光电子器件、低维量子结构与量子器件等前沿领域，其参考书目及考试大纲以刘恩科《半导体物理学》、施敏《半导体器件物理》、曹雪涛《固体物理》为核心教材，同时结合《微电子器件与工艺》《集成电路设计》《光电子器件与系统》等专著。考生需系统掌握半导体材料的能带理论、载流子输运机制、PN结及MOS器件物理特性、半导体器件制造工艺（如外延生长、光刻、离子注入等），并深入理解新型半导体材料（如二维材料、钙钛矿、氮化镓等）的物理化学性质及其在器件中的应用。在光电子学方向，需重点研究光电探测器件（如雪崩二极管、CCD、InGaAs/InP探测器）、激光器（如DFB、VCSEL）、光调制器等器件的物理原理与性能优化；微电子方向则需掌握CMOS工艺流程、VLSI设计方法、低功耗芯片架构及可靠性分析。考博真题常以材料生长特性（如MOCVD工艺参数对量子阱质量的影响）、器件物理机制（如高迁移率晶体管散射机制分析）、器件可靠性（如高温老化对DRAM存储单元的影响）为命题重点，并要求结合器件设计或工艺优化提出创新解决方案。考生应关注《Nature Electronics》《IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing》等期刊最新成果，尤其在第三代半导体器件、量子点单电子晶体管、光子集成等领域积累研究经验。建议通过模拟实验（如基于Sentaurus器件仿真软件的器件性能预测）和文献研读（近三年中科院半导体所发表顶刊论文）强化科研潜力论证，同时掌握SPICE电路仿真、SEM/TEM表征分析等关键技术。考试内容占比为：半导体物理（30%）、微电子器件与工艺（25%）、光电子器件（20%）、专业前沿（15%）、综合能力（10%），其中专业前沿部分需结合报考导师课题组研究方向展开论述。