中山大学集成电路工程考博初试主要考察考生对集成电路系统架构、半导体物理与器件、数字信号处理等核心领域的综合掌握能力。考试科目通常包括《集成电路系统架构》《半导体物理与器件》《数字信号处理》三科，总分100分，每科占比约30%-35%。近年来，随着集成电路行业对人才需求升级，考试重点逐渐向先进制程工艺、EDA工具应用、SoC设计等方向倾斜。

专业课笔试以闭卷形式进行，题型包含填空题（20分）、简答题（40分）、计算题（30分）和论述题（10分）。例如2022年真题中，填空题涉及FinFET晶体管阈值电压影响因素（需答出栅极长度、掺杂浓度、衬底掺杂等关键参数），简答题要求阐述RISC-V指令集架构的优缺点，计算题则围绕MOS管跨导与输出电阻关系展开。近年新增对AI芯片设计、Chiplet封装等前沿技术的认知考查，2023年论述题首次出现"基于3D IC技术的智能传感器设计挑战"。

核心参考书目包括：

1.《集成电路系统架构》（王正孺著，第三版）

2.《半导体物理与器件》（施敏著，第四版）

3.《数字信号处理》（程佩青著，第五版）

4.《CMOS集成电路设计：分析与实现》（Weste著，中英文对照版）

5.《EDA工具与应用》（王卫东著）

备考建议采取"三阶段递进式"复习法：第一阶段（1-2个月）通读教材建立知识框架，重点标注近五年真题重复率超过60%的核心知识点；第二阶段（3-4个月）进行专题突破，例如针对MOS管特性建立器件参数计算模型，对SoC设计流程绘制全流程思维导图；第三阶段（1个月）开展全真模拟，重点训练计算题时间分配（建议每题不超过45分钟），并针对中山大学与华为、中芯国际等企业联合培养项目，研究"智能硬件+集成电路"交叉课题。

值得关注的是，2024年考试大纲新增对"存算一体架构""光电子集成电路"的考查要求，建议考生补充阅读《集成光子学导论》（J. Kahn著）和IEEE《IEEE Journal of Solid-State Circuits》近三年相关论文。面试环节则注重工程实践能力，2023年录取考生中，具有芯片流片经验或参与国家集成电路创新中心项目者占比达78%，建议提前准备EDA工具操作视频（如Cadence Virtuoso设计流程）和专利/论文成果展示。