中山大学集成电路学院电子科学与技术、集成电路工程、集成电路科学与工程专业考博初试资料分析

考试科目设置：

初试包含政治、英语一、数学一及专业综合考试。专业综合考试分为电子科学与技术（8301）、集成电路工程（8302）、集成电路科学与工程（8303）三个方向，考试科目均为《集成电路原理与技术》+《半导体物理与器件》+《数字电路与系统》。其中，8301侧重半导体器件物理与电子系统设计，8302强化集成电路工艺与封装技术，8303注重微电子学与集成电路前沿研究。

核心参考书目：

1.《集成电路设计导论（第3版）》王志功等，机械工业出版社（重点章节：第1-5章）

2.《半导体物理学（第2版）》刘恩科等，电子工业出版社（重点：PN结理论、MOS器件特性、CMOS工艺流程）

3.《数字集成系统设计（VHDL版）》赵亦廷，清华大学出版社（重点：组合逻辑设计、时序逻辑电路、FPGA开发）

4.《半导体制造工艺学》黄伯云，武汉理工大学出版社（重点：光刻技术、薄膜沉积、离子注入）

5.《集成电路封装技术》黄伯云，科学出版社（重点：塑封工艺、BGA封装、可靠性测试）

历年真题规律（2018-2023）：

- 电路分析：近五年占比28%，重点考察组合逻辑电路设计（年均3题）、时序电路分析（年均2题）

- 器件原理：占比32%，每年必考MOSFET特性曲线分析（近3年均出现）、CMOS静态功耗计算（近4年出现）

- 工艺技术：占比25%，光刻胶涂布参数（2021年）、薄膜厚度测量方法（2022年）等工艺问题

- 前沿技术：占比15%，2023年新增RISC-V架构设计考点，2022年涉及GaN功率器件特性

复习策略建议：

1. 基础阶段（3-6个月）：

- 建立"器件-工艺-电路"知识树，重点掌握MOSFET跨导公式推导（k=μCox(W/L)）

- 每周完成2套数字电路设计题（重点：状态机设计、Verilog代码实现）

- 建立半导体器件参数对照表（包含Si、GaAs、SiC等材料的迁移率、阈值电压等关键参数）

2. 强化阶段（2-3个月）：

- 真题精析：近5年真题按题型分类整理（填空题、计算题、综合分析题）

- 模拟测试：每周完成1套全真模拟卷（时间控制：专业考试180分钟）

- 前沿专题：每周研读1篇IEEE Trans. on VLSI Design论文（重点：Chiplet技术、3D封装）

3. 冲刺阶段（1个月）：

- 重点突破高频考点：2024年新增"先进封装技术"专题（含TSV、CoWoS等）

- 建立公式速查手册（含SPICE模型参数、工艺参数对照表）

- 模拟面试：组队进行3次专业面试模拟（重点考察器件可靠性分析、工艺缺陷检测）

英语备考要点：

- 专业英语阅读：重点训练IEEE会议论文摘要阅读（每周3篇）

- 技术文档翻译：积累半导体专业术语中英对照表（如SOI工艺、FinFET结构）

- 论文写作：掌握IEEE格式论文结构（Abstract、Introduction、Methodology等部分写作技巧）

政治复习建议：

- 重点把握"新质生产力"与半导体产业发展的关联性论述

- 聚焦"科技自立自强"战略在集成电路领域的实践案例

- 关注2024年政府工作报告中关于半导体设备国产化替代的政策表述

复试准备要点：

1. 科研经历：重点展示与导师研究方向相关的项目成果（需准备中英文版简历）

2. 面试问题预测：

- 器件层面："如何解决FinFET晶体管漏电流问题？"

- 工艺层面："光刻工艺中如何平衡线宽精度与套刻误差？"

- 前沿领域："如何看待Chiplet技术对传统封装的冲击？"

3. 附加准备：携带1份研究计划书（建议包含技术路线图、预期成果、创新点分析）

备考时间规划建议：

- 9-12月：完成专业基础复习（每日4小时）

- 1-2月：专项突破+真题训练（每日6小时）

- 3月：全真模拟+弱点强化（每日8小时）

- 4月：复试准备+材料提交

注意事项：

1. 2024年新增"集成电路安全"专题，需关注《中国集成电路产业安全白皮书》相关内容

2. 考试时间调整：专业综合考试调整为"4小时连续考试"，建议提前进行长时间注意力训练

3. 考场纪律：专业考试允许携带《半导体器件物理》教材作为参考书（需提前登记）

考生需特别注意：2024年新增"先进封装与系统创新"方向（代码8304），考试科目调整为《先进封装技术》+《系统级芯片设计》，建议跨专业考生重点关注该方向招生简章。