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上海微系统与信息技术研究所微电子学与固体电子学考博士申请考核制博士生综合考核复试笔试面试真题面试资料面试资料
创建时间:2026-01-30 22:50:13

上海微系统与信息技术研究所作为国内微电子领域的顶尖研究机构,其微电子学与固体电子学专业博士申请考核制复试笔试与面试环节具有鲜明的学科特色和考核导向。根据近五年公开的复试真题资料分析,考核体系呈现"基础理论深度+前沿技术敏感度+科研实践能力"的三维架构,笔试侧重半导体物理、集成电路设计与器件工艺的交叉融合,面试则注重学术潜力和工程实践的双重评估。

笔试部分重点考察半导体器件物理与集成电路设计的知识体系整合能力。2021年真题中,第5题要求结合FinFET与GAA晶体管结构差异,推导三维FinFET在亚阈值摆幅和短沟道效应方面的性能优化路径,需同时运用半导体能带理论、量子力学隧道效应模型和工艺参数优化方法。2022年新增的"新型二维材料异质结设计"论述题,要求从MoS₂/WS₂界面工程角度分析载流子迁移率提升机制,并对比石墨烯在射频器件中的应用瓶颈,体现对第三代半导体材料的深度理解。

面试环节采用"专业能力+科研潜力+综合素质"的立体化评估模式。专业能力测试中,2020年有位考生被问及"基于28nm FD-SOI工艺设计低功耗物联网MCU芯片"的完整技术路线,需从工艺节拍优化、电压频率 Scaling策略、安全隔离区布局等12个技术节点展开论述。科研潜力评估注重项目经历与学术创新的匹配度,2023年面试中,有位具有车规级芯片可靠性研究背景的考生,被要求设计针对AMOLED驱动电路的ESD防护方案,并论证其与现有TVS二极管方案的差异化优势。

实验操作考核作为近年新增环节,重点考察器件表征与工艺仿真能力。2022年实操考试要求使用Sentaurus TCAD工具构建SiGe Heterojunction Bipolar Transistor的二维器件模型,通过调整调制层厚度和掺杂浓度,在500-800GHz频率范围内优化电流增益与截止频率的折衷关系。考官特别关注仿真参数与物理意义的对应性,以及异常结果的多维度排查能力。

跨学科融合趋势在近年考核中显著增强。2023年笔试新增"智能传感芯片与边缘计算协同设计"论述题,要求从CMOS工艺兼容性、数据采集-处理-传输链路优化等角度分析毫米波雷达前端模块的能效提升路径。面试中更强调对"芯-云-端"协同架构的理解,有位考生因能结合其参与的国家重点研发计划项目,提出基于RISC-V指令集的异构计算单元动态调度方案,获得面试组高度评价。

备考建议应聚焦三个维度:首先构建"器件物理-工艺设计-系统应用"的知识图谱,重点突破FinFET/GAA结构、二维材料异质集成、先进封装技术等核心模块;其次强化工程实践能力,通过参与所内"集成电路可靠性验证平台"等开放课题积累实战经验;最后注重学术表达训练,针对"技术方案可行性论证"和"创新点提炼"开展模拟答辩,特别是要培养用器件物理原理解释工程问题的思维习惯。值得关注的是,2024年考核方案将首次引入"芯片安全与可信计算"专项测试,建议提前研究国密算法在SoC中的实现路径及侧信道攻击防护策略。

 

申老师

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