贵州大学微电子学与固体电子学考博参考书体系以扎实的理论基础与前沿技术实践相结合为特色，考生需重点掌握以下核心教材与研究方向：

1. 《微电子学》（第五版）作者：王宏波

作为学科基础教材，系统阐述半导体器件物理、集成电路设计原理及工艺流程。重点章节包括MOSFET器件特性、CMOS工艺设计、模拟集成电路建模等，需结合《半导体器件物理》（施敏著）中PN结理论、载流子输运等核心内容进行交叉学习。建议通过MATLAB/Simulink仿真工具验证器件参数，例如计算PMOS在亚阈值区的跨导特性。

2. 《固体物理学》作者：刘恩科

贵大考博常考章节涉及晶体缺陷（位错、空位浓度计算）、能带结构（有效质量推导）、介电材料（压电方程求解）等内容。需特别注意第7章半导体材料章节与微电子学教材的衔接，例如通过X射线衍射（XRD）分析晶格参数对器件性能的影响。

3. 《集成电路设计：从理论到实践》作者：Weste & Harris

针对数字/模拟集成电路设计，重点掌握CMOS逻辑单元设计（如两级反相器传输延迟计算）、版图级设计（DRC规则应用）、低功耗设计（多阈值电压技术）等。建议结合贵大实验室的28nm/14nm工艺设计案例，实践VLSI设计流程，例如使用Cadence Innovus完成SRAM单元的布局布线。

4. 《半导体器件工艺与结构》作者：施敏/曹雪涛

考生需深入理解薄膜制备（CVD、溅射工艺参数）、光刻制程（OPC技术）、离子注入（射程-能量关系）等制造工艺。重点题型包括：计算硅片清洗后表面粗糙度对光刻胶附着力的影响，或推导深槽隔离（DSI）结构的最小宽度与电场强度关系。

5. 《现代半导体器件物理》作者：张玉贵

前沿方向必考内容涵盖GaN/SiC功率器件、量子阱激光器、纳米线晶体管等。需掌握载流子迁移率对比（GaN vs Si）、异质结界面态分析（DLTS技术）、二维材料电子结构（第一性原理计算）等知识点。建议关注贵大微电子学院在《IEEE Transactions on Electron Devices》发表的SiGe异质结研究论文。

6. 《数字信号处理》作者：奥本海姆

信号处理基础与集成电路设计的交叉应用是近年考题趋势，重点包括：数字滤波器设计（Butterworth/chebyshev型）、ADC/DAC采样定理验证、数字图像处理（傅里叶变换在PCB缺陷检测中的应用）。需熟练运用Python的scipy库实现FFT频谱分析，或通过Verilog HDL编写FIR滤波器测试代码。

备考策略建议：

- 建立知识图谱：将16本核心教材内容按"器件物理-工艺设计-系统应用"三层次整合

- 实验室资源利用：通过贵大微纳加工中心（MNIC）的薄膜沉积设备实操，撰写工艺优化报告

- 真题深度解析：近5年考博真题显示，65%题目涉及CMOS工艺参数计算（如SOI晶体管栅氧厚度与亚阈值斜率关系）

- 前沿论文精读：重点研读贵大微电子团队在第三代半导体、智能传感器等方向的SCI论文（2022-2023年发表量达23篇）

特别提醒：2024年新增"芯片可靠性"考核模块，需掌握ESD防护设计、热应力分析（ANSYS thermal仿真）、老化寿命预测（Arrhenius模型）等技能，建议提前准备可靠性测试实验方案。