哈尔滨工业大学集成电路科学与工程专业考博主要考察对集成电路设计、器件物理、工艺技术等核心领域的掌握程度。考生需重点研读以下四本核心教材：《集成电路设计导论》（作者：Weste & Harris）系统阐述了CMOS设计流程，需重点掌握逻辑级设计、时序分析、功耗优化等章节，特别关注第4章组合逻辑设计、第5章时序逻辑设计及第7章低功耗设计内容。其次，《半导体器件物理》（作者：施敏）作为器件基础理论，要求深入理解MOSFET工作原理，重点突破第3章MOS器件物理、第4章双极型晶体管及第8章器件工艺参数计算等核心章节，需完成课后习题中30%以上计算题训练。第三，《CMOS集成电路设计》（作者：Harris & Harris）需结合实例分析，重点掌握第5章静态时序分析、第6章动态时序分析、第9章测试与可测性设计，建议通过设计实例理解DFT（可测性设计）应用。第四，《先进半导体器件与工艺》（作者：Sze）作为前沿技术补充，需关注第2章FinFET结构、第3章3D堆叠技术、第4章先进制程工艺节点等章节，了解5nm以下制程关键技术。考试中常出现器件物理与集成电路设计的交叉题型，例如将MOSFET迁移率与时序延迟建立数学模型，或结合EUV光刻技术分析工艺参数变化对设计的影响。建议考生采用"三阶段复习法"：第一阶段（1-2个月）通读教材并完成课后习题，建立知识框架；第二阶段（1个月）进行专题突破，针对时序分析、功耗计算等高频考点进行强化训练；第三阶段（2周）模拟考试环境进行真题演练，重点提升综合应用能力。特别注意2023年新增的"先进封装与集成系统"考核模块，需补充学习《3D IC与系统》（作者：K. Banerjee）中关于Chiplet设计、硅通孔（TSV）技术等内容，建议完成书中20个设计案例的原理分析。备考过程中应建立"理论-案例-实践"三位一体的学习模式，通过设计实例理解器件物理特性，结合工艺参数推导电路性能，最终形成完整的集成电路设计思维体系。