集成电路科学与工程专业作为国家战略科技力量的核心支撑领域，其学科体系以半导体物理与器件为基础，融合微电子工艺、集成电路设计与集成系统为核心环节，延伸至封装测试、EDA工具、半导体材料等全产业链协同创新。考生需系统掌握《半导体器件物理》中载流子输运机制与PN结特性，重点理解MOSFET亚阈值斜率、短沟道效应等关键参数的物理本质，并结合《CMOS集成电路设计》中的SPICE仿真案例，分析双阱结构、多阈值CMOS等先进工艺对性能优化的作用机制。

在集成电路系统设计层面，需深入研读《数字集成电路设计——基于Verilog HDL》，构建从RTL级编码到物理实现的全流程认知框架。重点突破SRAM功耗优化、流水线冲突消解等高频考点，结合《SoC设计中的功耗与性能平衡》中的案例，掌握DFT设计方法在IP核验证中的应用。对于模拟电路方向，需精读《模拟集成电路设计》中的差分放大器、运放偏置电路设计，熟练运用小信号等效模型进行增益、带宽等核心指标计算。

当前技术前沿聚焦于3D-IC异构集成、GAA晶体管、量子阱激光器等关键技术突破，考生应关注《IEEE Transactions on VLSI Systems》近三年关于RISC-V处理器架构优化、Chiplet互连协议标准化的研究成果。在制备工艺方面，需结合《先进半导体制造技术》中的光刻胶材料特性与极紫外光刻（EUV）工艺节点演进，分析FinFET向GAA架构的迁移路径对晶体管迁移率、漏电流的影响规律。

备考过程中建议建立"理论-工具-案例"三维复习体系：通过Matlab/Simulink完成器件仿真实验，使用Cadence Innovus完成物理验证，结合华为海思麒麟芯片设计案例解析IP核复用策略。重点攻克2018-2023年考博真题中关于CMOS版图级抗镜像噪声设计、低功耗触发器时钟树优化等高频考点，同时关注中科院微电子所官网发布的《先进封装与系统创新》年度报告，掌握晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D封装技术标准演进趋势。