东南大学集成电路科学与工程考博初试以专业性与实践性并重为特点，其考试体系涵盖学术能力、科研潜力及工程素养三大维度。初试科目包括《专业基础课（模拟电路设计）》《专业核心课（数字集成电路设计）》《综合测试（半导体物理与器件/集成电路系统设计/嵌入式系统）》，其中专业基础课与核心课占比达60%，综合测试侧重跨学科知识整合。

参考书目方面，模拟电路设计以《CMOS集成电路设计：高级技术》第五版（Sedra/Smith著）为核心教材，重点掌握CMOS放大器设计原则、噪声分析模型及低功耗优化策略；数字集成电路设计则依据《数字设计——与可编程逻辑器件和FPGA》第三版（Harris/ Harris著），强化时序逻辑电路设计、EDA工具应用（如Synopsys Design Compiler）及VHDL/Verilog语言实战。综合测试部分需同时准备《半导体物理学》（施敏著）的基础理论、《集成电路系统设计方法》（赵万恒著）的系统架构，以及《嵌入式系统设计与应用》中的实时操作系统（RTOS）与ARM架构案例。

复习策略需分阶段实施：基础强化阶段（3-4个月）应完成教材精读与例题解析，重点突破CMOS工艺参数计算（如阈值电压、短沟道效应）、数字电路时序约束（ Setup/Hold 时间验证）及EDA工具链操作流程；专题突破阶段（2个月）需针对东南大学近年真题中高频考点（如低功耗设计中的Drowsy模式、FPGA时序优化技巧）进行专项训练，同步研究东南大学集成电路学院近三年发表的SCI论文（如JSSC、VLSI Journal）以把握前沿方向；模拟冲刺阶段（1个月）应通过全真模考（按考试时间分配，单科限时3小时）检验知识体系完整性，同时准备英文文献翻译（建议选择IEEE Transactions on CAD的综述类论文）及科研设想陈述（需结合学院重点实验室研究方向，如三维集成电路封装、智能感知芯片设计）。

考试中需特别注意专业基础课的综合性问题，例如第18-25题常涉及模拟-数字混合信号设计中的共模抑制比（CMRR）计算、ADC/DAC转换器采样保持电路设计，此类题目需同时运用器件物理（MOSFET跨导公式）与电路设计（运放反馈网络配置）双重知识。数字集成电路设计部分近年新增EDA工具应用案例分析，如基于PrimeTime的静态时序分析（STA）报告解读、Design Compiler的约束文件（.con）编写规范，建议通过东南大学本科培养平台下载往届实验项目进行实操。

综合测试的半导体物理与器件科目重点考察pn结特性、MOSFET阈值电压推导（考虑衬底掺杂浓度、栅压影响）、CMOS工艺流程（光刻、离子注入参数设定）等微观机制，需熟练运用半导体物理公式（如耗尽层电荷Q_d=ε_sQ_B/φ_B）进行计算。而集成电路系统设计方向的考题则趋向系统级思维，例如设计一个基于RISC-V内核的边缘计算加速器，需完整阐述从工艺选择（28nm FD-SOI）、RTL编码（Chisel语言实践）、验证环境搭建（UVM框架）到流片成本估算的全流程。

考博复试环节特别关注学术潜力的评估，东南大学集成电路学院近年采用“双盲评审+实验室实操”机制，考生需提前研读学院官网公布的导师团队科研项目（如微纳电子器件国家重点实验室的硅基光电子芯片课题），准备1-2个创新性研究设想，并掌握TSMC 28nm/7nm工艺设计规则（如金属层间距、DRC检查要点）。建议联系已录取考生获取实验室安全操作手册（如电子束光刻机使用规范）及面试评分标准（技术能力占60%，学术诚信占30%，团队协作占10%）。

备考资源方面，东南大学图书馆特藏室提供《IEEE集成电路设计年会论文集（2005-2022）》电子版，考生可通过校园网下载；学院实验中心开放部分EDA工具（Cadence Innovus、Mentor Calibre）远程终端，建议提前熟悉工具操作界面。特别提醒注意2024年新增的“集成电路设计与封装一体化”考核模块，需额外准备Chiplet技术文档（IEEE 1938标准）及晶圆级封装案例（如Intel EMIB技术解析）。

最后，东南大学集成电路考博注重交叉学科融合能力，建议在复习期间参与学院组织的“芯片设计工作坊”（每月第二个周六），与微电子学院、计算机学院研究生组队完成智能传感器系统设计项目。考博系统报名时间为每年9月15日-10月15日，需同步准备英语水平证明（CET-6≥425或雅思≥6.5），且科研成果（如EI论文、专利）需通过学院学术道德审查委员会核实。