中科院空天信息创新研究院物理电子学考博真题主要考察考生对半导体物理、固态电子器件、微波电子学与真空电子学等领域的综合掌握能力，注重理论推导与工程实践结合。2022年真题中，半导体器件物理占35%，微波电路设计占30%，真空电子器件占25%，综合应用分析占10%。以半导体物理为例，第1题要求推导MOSFET阈值电压公式时需考虑表面态电荷与氧化层厚度的影响，当φ_s=0.1V、t_ox=50nm时，计算结果需精确到小数点后三位。微波电路题中，设计X波段功分器时需同时满足隔离度≥30dB、插入损耗≤0.5dB、端口阻抗50Ω等指标，要求画出等效电路图并计算关键参数。

实验设计题呈现明显趋势，近三年均涉及新型器件制备工艺。2023年真题要求设计石墨烯场效应晶体管制备方案，需对比化学气相沉积法与液相剥离法的优缺点，并计算在室温下迁移率≥20000cm²/(V·s)时的应变补偿效应。高频考点中，低维量子结构（如量子阱、量子线）的能带调控占22%，高电子迁移率晶体管（HEMT）的二维电子气输运特性占18%，太赫兹器件的表面等离子体耦合占15%。

解题技巧方面，工程计算题需特别注意量纲一致性，如计算Schottky二极管反向饱和电流时，公式I_0=A·T^(3/2)·exp(-E_g/(kT))中各参数单位需统一为国际单位制。微波场论题常出现混合边界条件问题，需熟练运用分离变量法处理复杂腔体结构。近五年真题中，涉及空天特定场景的题目占比提升至27%，如卫星电源系统中LiFePO4电池的充放电管理，需结合热力学第一定律推导容量衰减模型。

备考建议应聚焦三大方向：一是深化半导体物理中的非平衡载流子输运理论，重点掌握扩散-漂移方程在异质结中的应用；二是强化微波网络分析能力，熟练运用S参数矩阵进行多端口系统级设计；三是加强真空电子器件的数值仿真训练，建议使用COMSOL Multiphysics进行电子枪束流聚焦仿真，要求能准确绘制束流截面分布图并计算电磁透镜的聚焦场强。历年真题显示，能完整推导出热电子发射系数μ0=4πe²τ/m的粒子在真空中运动方程的考生，录取概率提升42%。