中山大学集成电路工程考博备考需重点关注集成电路设计、制造、封装测试全产业链知识体系，建议从三个维度构建复习框架。专业基础层面，需系统掌握《半导体器件物理》《集成电路设计导论》《数字信号处理》等核心课程，重点突破CMOS工艺流程、VLSI设计方法、时序分析等高频考点。建议结合《CMOS VLSI设计：逻辑、布局与物理实现》等经典教材，通过设计实例理解标准单元库构建、时钟域划分等关键技术。其次，前沿技术层面，需跟踪国际顶刊进展，重点研读IEEE Transactions on VLSI Systems、Nature Electronics等期刊近三年关于先进封装（如Chiplet技术）、三维集成（如2.5D/3D IC）、智能EDA等领域的突破性成果，建议整理出包含20篇核心文献的技术综述报告。第三，实践能力层面，需完成至少3个完整项目案例，包括但不限于SoC设计、射频IC开发或可靠性验证，重点体现DFM/DFT实践与IP核协同设计能力。备考策略上，建议采用"三阶段递进法"：基础阶段（4个月）完成知识图谱构建，强化阶段（2个月）进行真题专项训练，冲刺阶段（1个月）实施模拟答辩。需特别关注中山大学在存算一体、神经形态芯片等方向的研究特色，建议联系已录取学长获取近三年真题及导师组偏好分析。论文写作方面，应着重突出集成电路全流程创新点，如提出新型多阈值逻辑架构或改进型BIST方案，同时注重实验数据与仿真结果的对比分析，建议采用IEEE Transactions on CAD模式进行论文精修。考场上注意区分学术型与应用型博士考核差异，在技术方案设计环节强调工程实现可行性，在理论推导环节突出创新性。最后，建议组建5人备考小组进行每周模拟面试，重点训练技术路线图制定、跨学科交叉创新等高阶能力。