中科院光电技术研究所集成电路科学与工程专业作为国内光电子领域的重要研究平台，其考博考试体系充分体现了学科交叉融合与前沿技术探索的双重导向。考生需重点把握三个核心维度：在学科基础层面，需系统掌握半导体物理、微电子器件、集成电路设计等核心课程知识体系，特别关注器件物理中的载流子输运机制、PN结特性及MOSFET工作原理等基础理论，建议结合《微电子学》（王宏波著）与《半导体器件物理》（施敏著）进行深度学习。其次，研究前沿方向需聚焦光电子集成、硅基氮化镓功率器件、三维异质集成等光电所特色领域，需熟练掌握硅光芯片设计流程、光子晶体波导特性及量子点二维材料生长技术，重点研读《硅光子学》（J. P. Heritage著）与《先进半导体器件》（Y. Wang著）中的关键技术章节。第三，实验技能考核需强化Vixar工艺流程、电子束光刻参数优化、器件表征系统（SEM/TEM/XRD）操作规范等实操能力，建议通过参与所内开放课题积累器件封装测试经验。

考试重点涵盖专业基础课（8301微电子学与半导体物理）与专业课（8302集成电路设计与集成系统），其中器件物理部分占比达35%，重点考察MOSFET跨导温度特性、双极型晶体管基区复合机制等计算题。集成电路设计方向需掌握Verilog HDL高级语法、SoC系统级仿真验证方法，近三年真题中FPGA原型验证案例出现频率达62%。英语考核侧重专业文献阅读与学术写作，要求考生在45分钟内完成2000字以上技术文献综述，建议精读IEEE Transactions on Electronics Letters近五年高被引论文。综合面试注重科研潜力评估，需准备至少3个深度技术问题（如二维材料场效应管载流子迁移率优化路径），并展示过实验项目报告。报考策略上，建议提前6个月完成《集成电路制造技术》（作者：张汝京）与《先进集成电路设计》（作者：王志华）的体系化学习，同步参与所内"集成电路与集成光学"重点实验室的预研项目，积累器件仿真（Comsol、ATL）与工艺模拟（Sentaurus）实操经验。最后，需关注所里每年9月发布的《集成电路科学与工程学科建设白皮书》，其中列出的"新型光电集成器件"等5个重点方向应作为复习优先级。