南京大学集成电路科学与工程考博考试以学术能力与科研潜力为核心考核目标，其真题体系覆盖专业基础、研究能力、英语应用及综合面试四大模块。专业基础部分重点考察半导体物理、集成电路设计原理、器件物理与工艺等核心知识，常以计算题、简答题和论述题形式呈现。例如，2021年真题要求考生计算MOSFET阈值电压受迁移率与体电阻影响的修正公式，并分析其工程意义，此类题目既检验公式推导能力，又考察对器件物理本质的理解深度。

研究能力考核侧重前沿技术动态与学术创新思维，近年真题中约35%的题目涉及Chiplet集成、RISC-V架构优化、3D IC封装技术等新兴领域。2022年考题要求考生对比传统SoC与Chiplet设计在功耗、面积、成本等维度的差异，并设计面向边缘计算的Chiplet验证方案，此类题目需考生具备跨学科知识整合能力与工程实践思维。英语部分采用学术文献阅读与写作结合模式，2023年真题选取IEEE Transactions on VLSI Design论文段落，要求考生在15分钟内完成技术要点的中英互译，并撰写200字研究评述，重点考察专业英语阅读速度与学术表达规范性。

综合面试环节注重科研潜质评估，常以开放式问题考察学术视野。例如2020年面试中，考官询问"如何突破FinFET晶体管性能瓶颈"，要求考生从材料体系、器件结构、制造工艺三个层面提出创新路径，并论证可行性。近三年真题显示，约60%的面试问题与考生提交的科研计划书直接相关，特别关注研究问题的创新性、技术路线的合理性和实验设计的严谨性。

备考策略需建立"三维知识架构"：纵向贯通半导体器件物理（如载流子输运机制）、集成电路设计（如RTL到GDSII全流程）、EDA工具（如Synopsys Design Compiler应用）等核心知识链；横向拓展先进封装（TSV、CoWoS）、新型器件（二进制纳米线FET、量子点器件）、智能EDA（AI驱动的设计自动化）等交叉领域；立体化提升学术表达能力，通过模拟答辩、论文润色、学术会议汇报等场景化训练。建议考生重点突破三种典型题型：1）器件物理计算题（需掌握SPICE模型参数与工艺参数的关联公式）；2）技术对比分析题（建立"架构-工艺-应用"三维评估框架）；3）研究计划设计题（遵循"问题定义-文献综述-方法创新-验证方案"逻辑链）。

特别需要关注近三年新增考核趋势：2021年起将集成电路安全与可靠性纳入必考内容，2022年增设"基于人工智能的芯片缺陷检测算法"案例分析题，2023年要求考生对国产EDA工具链发展路径进行SWOT分析。建议考生建立"双循环"学习体系：内循环夯实数模分析与工程实践能力，外循环跟踪IEEE ISSCC、VLSI symposium等顶级会议动态。最后提醒考生注意时间管理，专业笔试建议预留120分钟完成计算推导与论述写作，面试环节需在5分钟内清晰阐述研究价值与技术路线。