东南大学集成电路工程学科在微电子学与固体电子学领域具有深厚积累，其博士招生考试注重理论与实践并重的综合能力考核。考生需重点把握以下核心参考书目与研究热点：

《半导体器件物理》（施敏著）是理解集成电路物理基础的核心教材，建议结合东南大学微电子学院官网发布的历年真题，重点突破MOSFET载流子输运机制、PN结高反型层特性等高频考点。书中第5章半导体器件设计原则与第8章新型器件结构设计应作为重点复习内容，配合器件工艺仿真软件（如Sentaurus TCAD）进行实例验证。

《CMOS集成电路设计：高级技术与系统》（Weste著）作为VLSI设计领域的权威著作，需重点关注第3章工艺流程优化、第6章低功耗设计方法及第9章先进封装技术。建议结合东南大学智能微电子国家重点实验室近三年发表的Nature Electronics论文，研究新型FinFET晶体管与3D-IC封装技术的融合创新。考生应建立从器件层到系统级的知识框架，特别是在多核异构计算SoC设计案例中，需熟练运用Synopsys Design Compiler进行RTL到GDSII的完整流片流程。

《数字信号处理》（Oppenheim著）与《数字图像处理》（冈萨雷斯著）构成图像感知芯片设计的理论基础，需重点掌握傅里叶变换在ADC/DAC设计中的应用、小波变换在视频编解码中的优化策略。建议通过东南大学-华为联合实验室的智能视觉处理芯片项目，实践FPGA原型验证与HIL测试技术。考生应建立从算法优化到硬件加速的全链路思维，特别是针对AIoT场景的边缘计算需求，需掌握 pruning、量化感知训练等模型压缩技术。

在备考策略方面，建议采用"三阶递进式复习法"：第一阶段（1-2个月）完成基础理论体系构建，建立半导体器件、集成电路设计、数字系统三个维度的知识图谱；第二阶段（1个月）开展专题突破，针对东南大学近五年在《IEEE TSMC》《IEEE JSSC》发表的153篇论文，重点研究智能传感器、存算一体架构等前沿方向；第三阶段（2周）进行全真模拟训练，使用东南大学自主开发的ICECube仿真平台，完成从Verilog HDL编码到28nm工艺的流片全流程演练。

考生应特别关注东南大学集成电路学院官网发布的"学术前沿动态"，及时跟进学院与中电科14所、华为海思共建的联合实验室最新成果。在面试环节，需准备至少3个体现跨学科融合的创新课题，例如基于RISC-V架构的神经形态计算芯片设计，或面向6G通信的硅基光电子集成系统研究。建议定期参加学院组织的"集成电路学术沙龙"，与长江学者王承祥教授、国家杰青张凌教授团队进行学术交流，深入理解东南大学在第三代半导体、智能芯片等领域的战略布局。