东南大学集成电路科学与工程考博备考需重点围绕专业基础、前沿技术及科研能力三个维度展开系统性复习。专业基础部分以《集成电路设计与集成系统》（作者：王志功等）为核心教材，需重点掌握CMOS工艺流程、VLSI设计方法学、数字/模拟集成电路设计原理等基础理论。建议按"器件物理基础→电路设计方法→系统级集成"的逻辑链条梳理知识体系，特别注意第4章半导体器件特性、第7章时序逻辑设计与第9章可编程逻辑器件等高频考点。

前沿技术方向需结合东南大学集成电路学院近三年承担的国家重点研发计划项目，重点关注第三代半导体器件、先进封装技术、智能传感器等交叉领域。推荐延伸阅读《先进半导体器件与集成电路》（作者：陈贵生等）的第5章SiC器件与第6章GaN功率器件，同时关注IEEE Transactions on Electron Devices中东南大学团队发表的代表性论文，尤其是关于二维材料器件和量子点阱结构的研究成果。

科研能力考核需构建"课题设计-实验方法-创新路径"三位一体的应答框架。建议使用东南大学2021-2023年博士招生真题库进行模拟训练，其中实验设计类题目占比达35%，需重点掌握SPICE仿真流程、版图设计软件（如Cadence Virtuoso）操作规范及实验误差分析技巧。针对东南大学特色研究方向，需深入理解其"集成电路-智能器件-系统创新"三位一体培养体系，在报考自荐信中体现与导师研究方向的契合度。

英语考核应侧重专业文献阅读能力，重点训练IEEE会议论文摘要的快速理解技巧。建议建立包含200+专业术语的电子词库，涵盖晶体管参数、封装工艺、测试技术等核心领域。东南大学近年考题中，专业英语翻译题涉及先进封装技术（如CoWoS）、AI芯片设计等热点话题，需特别关注《IEEE Journal of Solid-State Circuits》年度综述文章。

最后，建议采用"三轮递进式"复习策略：首轮（2个月）完成教材精读与知识图谱构建，第二轮（1个月）实施真题精练与错题归因，三轮（2周）聚焦东南大学自主命题特点进行模拟答辩。特别注意东南大学在2023年新增的"芯片可靠性测试"考核模块，需熟练掌握热应力测试、ESD防护测试等实验方法，相关内容在《集成电路测试技术》（作者：黄志远）第8章有详细阐述。